HPESDNC2FD5VBS
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDNC2FD5VBS
该器件为单通道双向ESD防护二极管, 额定电压VRWM为5V, 能承受5.5A的峰值瞬态电流IPP, 具有10pF的低电容值CJ, 适用于保护对静电敏感的电路, 确保在高频率信号线路中既能有效阻挡静电冲击, 又不影响信号完整性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
9,900
货期
现货
HPESDNC2FD5VBS参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9900 |
HPESDNC2FD5VBS概述
该器件为单通道双向ESD防护二极管, 额定电压VRWM为5V, 能承受5.5A的峰值瞬态电流IPP, 具有10pF的低电容值CJ, 适用于保护对静电敏感的电路, 确保在高频率信号线路中既能有效阻挡静电冲击, 又不影响信号完整性。
HPESDNC2FD5VBS特性
暂无产品特性。
HPESDNC2FD5VBS应用领域
暂无应用领域。
