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HPESDNC2FD5VBS
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESDNC2FD5VBS

该器件为单通道双向ESD防护二极管, 额定电压VRWM为5V, 能承受5.5A的峰值瞬态电流IPP, 具有10pF的低电容值CJ, 适用于保护对静电敏感的电路, 确保在高频率信号线路中既能有效阻挡静电冲击, 又不影响信号完整性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

9,900

货期

现货

HPESDNC2FD5VBS参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存9900

HPESDNC2FD5VBS概述

该器件为单通道双向ESD防护二极管, 额定电压VRWM为5V, 能承受5.5A的峰值瞬态电流IPP, 具有10pF的低电容值CJ, 适用于保护对静电敏感的电路, 确保在高频率信号线路中既能有效阻挡静电冲击, 又不影响信号完整性。

HPESDNC2FD5VBS特性

暂无产品特性。

HPESDNC2FD5VBS应用领域

暂无应用领域。

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