HPESDNC2FD3V3BS
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDNC2FD3V3BS
此双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用设计, 单一通道结构。 7A峰值电流吸收力, 构成强效静电防护网。 10pF电容值平衡了保护与信号传输的需求, 确保电路在面对静电挑战时既安全又高效, 是精密电路保护的理想元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
150
货期
现货
HPESDNC2FD3V3BS参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
HPESDNC2FD3V3BS概述
此双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用设计, 单一通道结构。 7A峰值电流吸收力, 构成强效静电防护网。 10pF电容值平衡了保护与信号传输的需求, 确保电路在面对静电挑战时既安全又高效, 是精密电路保护的理想元件。
HPESDNC2FD3V3BS特性
暂无产品特性。
HPESDNC2FD3V3BS应用领域
暂无应用领域。
