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HPESDNC2FD3V3BS
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESDNC2FD3V3BS

此双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用设计, 单一通道结构。 7A峰值电流吸收力, 构成强效静电防护网。 10pF电容值平衡了保护与信号传输的需求, 确保电路在面对静电挑战时既安全又高效, 是精密电路保护的理想元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

150

货期

现货

HPESDNC2FD3V3BS参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存150

HPESDNC2FD3V3BS概述

此双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用设计, 单一通道结构。 7A峰值电流吸收力, 构成强效静电防护网。 10pF电容值平衡了保护与信号传输的需求, 确保电路在面对静电挑战时既安全又高效, 是精密电路保护的理想元件。

HPESDNC2FD3V3BS特性

暂无产品特性。

HPESDNC2FD3V3BS应用领域

暂无应用领域。

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