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HPESDMC2XD5VB
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESDMC2XD5VB

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 5V电压下稳定工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 有效阻挡静电冲击。 其0.55pF的低电容值确保高速信号无损通过, 是保护脆弱电路元件、维持系统稳定性的精妙解决方案, 适合于各类静电敏感电子装置。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

840

货期

现货

HPESDMC2XD5VB参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存840

HPESDMC2XD5VB概述

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 5V电压下稳定工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 有效阻挡静电冲击。 其0.55pF的低电容值确保高速信号无损通过, 是保护脆弱电路元件、维持系统稳定性的精妙解决方案, 适合于各类静电敏感电子装置。

HPESDMC2XD5VB特性

暂无产品特性。

HPESDMC2XD5VB应用领域

暂无应用领域。

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