HPESDMC2XD5VB
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESDMC2XD5VB
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 5V电压下稳定工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 有效阻挡静电冲击。 其0.55pF的低电容值确保高速信号无损通过, 是保护脆弱电路元件、维持系统稳定性的精妙解决方案, 适合于各类静电敏感电子装置。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
840
货期
现货
HPESDMC2XD5VB参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 840 |
HPESDMC2XD5VB概述
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 5V电压下稳定工作, 具备4A峰值电流吸收能力, 有效阻挡静电冲击。 其0.55pF的低电容值确保高速信号无损通过, 是保护脆弱电路元件、维持系统稳定性的精妙解决方案, 适合于各类静电敏感电子装置。
HPESDMC2XD5VB特性
暂无产品特性。
HPESDMC2XD5VB应用领域
暂无应用领域。
