HPESDMC2FD5VBHF
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDMC2FD5VBHF
这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 能有效阻挡5V以下的电压突波, 其瞬态电流承受能力达到4A, 确保敏感电路安全无虞。 拥有仅0.5pF的低电容值, 它在保护的同时, 确保信号完整性, 特别适合对速度与可靠性有严格要求的电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
320
货期
现货
HPESDMC2FD5VBHF参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 320 |
HPESDMC2FD5VBHF概述
这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 能有效阻挡5V以下的电压突波, 其瞬态电流承受能力达到4A, 确保敏感电路安全无虞。 拥有仅0.5pF的低电容值, 它在保护的同时, 确保信号完整性, 特别适合对速度与可靠性有严格要求的电子设备。
HPESDMC2FD5VBHF特性
暂无产品特性。
HPESDMC2FD5VBHF应用领域
暂无应用领域。
