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HPESDMC2FD5VBHF
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESDMC2FD5VBHF

这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 能有效阻挡5V以下的电压突波, 其瞬态电流承受能力达到4A, 确保敏感电路安全无虞。 拥有仅0.5pF的低电容值, 它在保护的同时, 确保信号完整性, 特别适合对速度与可靠性有严格要求的电子设备。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

320

货期

现货

HPESDMC2FD5VBHF参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存320

HPESDMC2FD5VBHF概述

这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 能有效阻挡5V以下的电压突波, 其瞬态电流承受能力达到4A, 确保敏感电路安全无虞。 拥有仅0.5pF的低电容值, 它在保护的同时, 确保信号完整性, 特别适合对速度与可靠性有严格要求的电子设备。

HPESDMC2FD5VBHF特性

暂无产品特性。

HPESDMC2FD5VBHF应用领域

暂无应用领域。

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