HPESDEC2XD5VBF
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESDEC2XD5VBF
这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路保护设计, 具有4.5安培的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够在瞬时高压冲击下保护敏感电子组件。 其最大反向工作电压VRWM为5伏特, 在此电压下保持关闭状态, 确保正常操作时不干扰电路功能。 该器件的寄生电容CJ仅为0.25皮法, 几乎不影响信号质量, 适合用于高速数据线或高频信号路径中。 作为单通道、双向类型的保护器, 它能够有效应对正负方向的过电压事件, 适用于各种需要高可靠性和高性能保护的接口线路, 如消费电子产品和通信设备中的连接端口保护。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
230
货期
现货
HPESDEC2XD5VBF参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 230 |
HPESDEC2XD5VBF概述
这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路保护设计, 具有4.5安培的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够在瞬时高压冲击下保护敏感电子组件。 其最大反向工作电压VRWM为5伏特, 在此电压下保持关闭状态, 确保正常操作时不干扰电路功能。 该器件的寄生电容CJ仅为0.25皮法, 几乎不影响信号质量, 适合用于高速数据线或高频信号路径中。 作为单通道、双向类型的保护器, 它能够有效应对正负方向的过电压事件, 适用于各种需要高可靠性和高性能保护的接口线路, 如消费电子产品和通信设备中的连接端口保护。
HPESDEC2XD5VBF特性
暂无产品特性。
HPESDEC2XD5VBF应用领域
暂无应用领域。
