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HPESDEC2XD5VBF
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESDEC2XD5VBF

这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路保护设计, 具有4.5安培的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够在瞬时高压冲击下保护敏感电子组件。 其最大反向工作电压VRWM为5伏特, 在此电压下保持关闭状态, 确保正常操作时不干扰电路功能。 该器件的寄生电容CJ仅为0.25皮法, 几乎不影响信号质量, 适合用于高速数据线或高频信号路径中。 作为单通道、双向类型的保护器, 它能够有效应对正负方向的过电压事件, 适用于各种需要高可靠性和高性能保护的接口线路, 如消费电子产品和通信设备中的连接端口保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

230

货期

现货

HPESDEC2XD5VBF参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存230

HPESDEC2XD5VBF概述

这款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)专为电路保护设计, 具有4.5安培的峰值脉冲电流IPP承载能力, 能够在瞬时高压冲击下保护敏感电子组件。 其最大反向工作电压VRWM为5伏特, 在此电压下保持关闭状态, 确保正常操作时不干扰电路功能。 该器件的寄生电容CJ仅为0.25皮法, 几乎不影响信号质量, 适合用于高速数据线或高频信号路径中。 作为单通道、双向类型的保护器, 它能够有效应对正负方向的过电压事件, 适用于各种需要高可靠性和高性能保护的接口线路, 如消费电子产品和通信设备中的连接端口保护。

HPESDEC2XD5VBF特性

暂无产品特性。

HPESDEC2XD5VBF应用领域

暂无应用领域。

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