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HPESD5V2S2UT215
IC

SOT-23

可供量大可议

HPESD5V2S2UT215

此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)设计用于提供高效的过电压保护。 它具有17A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够有效应对瞬时电压波动对电路造成的威胁。 该元件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适用于广泛的低电压应用环境。 元件的电容值(CJ)为180pF, 有助于保持信号的纯净度, 特别适合高速数据传输线路的保护。 采用单向(Uni)设计, 支持单向过压保护需求。 双通道配置使其能够同时保护两个独立线路, 确保系统稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

20

货期

现货

HPESD5V2S2UT215参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

HPESD5V2S2UT215概述

此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)设计用于提供高效的过电压保护。 它具有17A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够有效应对瞬时电压波动对电路造成的威胁。 该元件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适用于广泛的低电压应用环境。 元件的电容值(CJ)为180pF, 有助于保持信号的纯净度, 特别适合高速数据传输线路的保护。 采用单向(Uni)设计, 支持单向过压保护需求。 双通道配置使其能够同时保护两个独立线路, 确保系统稳定运行。

HPESD5V2S2UT215特性

暂无产品特性。

HPESD5V2S2UT215应用领域

暂无应用领域。

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