HPESD5V2S2UT215
IC
SOT-23
可供量大可议
HPESD5V2S2UT215
此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)设计用于提供高效的过电压保护。 它具有17A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够有效应对瞬时电压波动对电路造成的威胁。 该元件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适用于广泛的低电压应用环境。 元件的电容值(CJ)为180pF, 有助于保持信号的纯净度, 特别适合高速数据传输线路的保护。 采用单向(Uni)设计, 支持单向过压保护需求。 双通道配置使其能够同时保护两个独立线路, 确保系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
20
货期
现货
HPESD5V2S2UT215参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HPESD5V2S2UT215概述
此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)设计用于提供高效的过电压保护。 它具有17A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够有效应对瞬时电压波动对电路造成的威胁。 该元件的最大持续工作电压(VRWM)为5V, 适用于广泛的低电压应用环境。 元件的电容值(CJ)为180pF, 有助于保持信号的纯净度, 特别适合高速数据传输线路的保护。 采用单向(Uni)设计, 支持单向过压保护需求。 双通道配置使其能够同时保护两个独立线路, 确保系统稳定运行。
HPESD5V2S2UT215特性
暂无产品特性。
HPESD5V2S2UT215应用领域
暂无应用领域。
