库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HPESD5V0U1BLN
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESD5V0U1BLN

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。 其IPP/A(峰值脉冲电流)为2.5A, 能够有效应对突发的高能冲击; VRWM/V(工作电压)设定为5V, 确保在正常工作状态下稳定运行; CJ/pF(结电容)仅为2.5pF, 表明它具有低寄生电容特性, 适合于高速数据线路的保护。 单线结构使其易于集成到各种电子设备中, 提供可靠的过压防护。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

900

货期

现货

HPESD5V0U1BLN参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存900

HPESD5V0U1BLN概述

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。 其IPP/A(峰值脉冲电流)为2.5A, 能够有效应对突发的高能冲击; VRWM/V(工作电压)设定为5V, 确保在正常工作状态下稳定运行; CJ/pF(结电容)仅为2.5pF, 表明它具有低寄生电容特性, 适合于高速数据线路的保护。 单线结构使其易于集成到各种电子设备中, 提供可靠的过压防护。

HPESD5V0U1BLN特性

暂无产品特性。

HPESD5V0U1BLN应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件