HPESD5V0U1BLN
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESD5V0U1BLN
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。 其IPP/A(峰值脉冲电流)为2.5A, 能够有效应对突发的高能冲击; VRWM/V(工作电压)设定为5V, 确保在正常工作状态下稳定运行; CJ/pF(结电容)仅为2.5pF, 表明它具有低寄生电容特性, 适合于高速数据线路的保护。 单线结构使其易于集成到各种电子设备中, 提供可靠的过压防护。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
900
货期
现货
HPESD5V0U1BLN参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 900 |
HPESD5V0U1BLN概述
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。 其IPP/A(峰值脉冲电流)为2.5A, 能够有效应对突发的高能冲击; VRWM/V(工作电压)设定为5V, 确保在正常工作状态下稳定运行; CJ/pF(结电容)仅为2.5pF, 表明它具有低寄生电容特性, 适合于高速数据线路的保护。 单线结构使其易于集成到各种电子设备中, 提供可靠的过压防护。
HPESD5V0U1BLN特性
暂无产品特性。
HPESD5V0U1BLN应用领域
暂无应用领域。
