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HPESD5V0F1BSF
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESD5V0F1BSF

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供高效的瞬态电压抑制, 确保电子设备在面对电压突变时的安全。 它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP, 能够迅速响应并吸收过量电流, 保护电路免受损害。 最大反向工作电压VRWM为5V, 适合低电压应用场合。 该器件拥有0.25pF的小电容CJ, 几乎不影响信号完整性, 特别适用于高速数据传输线路的保护。 作为1通道、Bi双向类型的产品, 它可以处理双向电压波动, 保障消费电子产品内部连接或通讯接口的数据传输稳定性和安全性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

20

货期

现货

HPESD5V0F1BSF参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

HPESD5V0F1BSF概述

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供高效的瞬态电压抑制, 确保电子设备在面对电压突变时的安全。 它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP, 能够迅速响应并吸收过量电流, 保护电路免受损害。 最大反向工作电压VRWM为5V, 适合低电压应用场合。 该器件拥有0.25pF的小电容CJ, 几乎不影响信号完整性, 特别适用于高速数据传输线路的保护。 作为1通道、Bi双向类型的产品, 它可以处理双向电压波动, 保障消费电子产品内部连接或通讯接口的数据传输稳定性和安全性。

HPESD5V0F1BSF特性

暂无产品特性。

HPESD5V0F1BSF应用领域

暂无应用领域。

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