HPESD5V0F1BSF
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESD5V0F1BSF
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供高效的瞬态电压抑制, 确保电子设备在面对电压突变时的安全。 它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP, 能够迅速响应并吸收过量电流, 保护电路免受损害。 最大反向工作电压VRWM为5V, 适合低电压应用场合。 该器件拥有0.25pF的小电容CJ, 几乎不影响信号完整性, 特别适用于高速数据传输线路的保护。 作为1通道、Bi双向类型的产品, 它可以处理双向电压波动, 保障消费电子产品内部连接或通讯接口的数据传输稳定性和安全性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
20
货期
现货
HPESD5V0F1BSF参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HPESD5V0F1BSF概述
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)设计用于提供高效的瞬态电压抑制, 确保电子设备在面对电压突变时的安全。 它具备4.5A的峰值脉冲电流容量IPP, 能够迅速响应并吸收过量电流, 保护电路免受损害。 最大反向工作电压VRWM为5V, 适合低电压应用场合。 该器件拥有0.25pF的小电容CJ, 几乎不影响信号完整性, 特别适用于高速数据传输线路的保护。 作为1通道、Bi双向类型的产品, 它可以处理双向电压波动, 保障消费电子产品内部连接或通讯接口的数据传输稳定性和安全性。
HPESD5V0F1BSF特性
暂无产品特性。
HPESD5V0F1BSF应用领域
暂无应用领域。
