HPESD4USB5B-TTS
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HPESD4USB5B-TTS
这款静电和浪涌保护器具备3A的最大电流承载能力与5V的工作电压, 适用于需要稳定电力供应的场合。 其结电容典型值仅为0.4pF, 有助于减少信号失真, 尤其适合高频应用。 该保护器拥有四个独立通道, 能够同时保护多条线路免受过电压影响。 作为一款单向(Uni)设计的器件, 它能有效防止反向电流流动, 确保电路安全运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
5
货期
现货
HPESD4USB5B-TTS参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
HPESD4USB5B-TTS概述
这款静电和浪涌保护器具备3A的最大电流承载能力与5V的工作电压, 适用于需要稳定电力供应的场合。 其结电容典型值仅为0.4pF, 有助于减少信号失真, 尤其适合高频应用。 该保护器拥有四个独立通道, 能够同时保护多条线路免受过电压影响。 作为一款单向(Uni)设计的器件, 它能有效防止反向电流流动, 确保电路安全运行。
HPESD4USB5B-TTS特性
暂无产品特性。
HPESD4USB5B-TTS应用领域
暂无应用领域。
