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HPESD4USB5B-TTS
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HPESD4USB5B-TTS

这款静电和浪涌保护器具备3A的最大电流承载能力与5V的工作电压, 适用于需要稳定电力供应的场合。 其结电容典型值仅为0.4pF, 有助于减少信号失真, 尤其适合高频应用。 该保护器拥有四个独立通道, 能够同时保护多条线路免受过电压影响。 作为一款单向(Uni)设计的器件, 它能有效防止反向电流流动, 确保电路安全运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

5

货期

现货

HPESD4USB5B-TTS参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存5

HPESD4USB5B-TTS概述

这款静电和浪涌保护器具备3A的最大电流承载能力与5V的工作电压, 适用于需要稳定电力供应的场合。 其结电容典型值仅为0.4pF, 有助于减少信号失真, 尤其适合高频应用。 该保护器拥有四个独立通道, 能够同时保护多条线路免受过电压影响。 作为一款单向(Uni)设计的器件, 它能有效防止反向电流流动, 确保电路安全运行。

HPESD4USB5B-TTS特性

暂无产品特性。

HPESD4USB5B-TTS应用领域

暂无应用领域。

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