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HPESD4USB3U-TBS
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HPESD4USB3U-TBS

这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力, 工作电压为3.3V, 适配多种电子设备需求。 其低结电容(0.6pF典型值)确保了信号完整性, 尤其适合高速数据传输线路。 配置四个单向保护通道, 能够有效抵御瞬态电压尖峰, 保障敏感电路的安全运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

55

货期

现货

HPESD4USB3U-TBS参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存55

HPESD4USB3U-TBS概述

这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力, 工作电压为3.3V, 适配多种电子设备需求。 其低结电容(0.6pF典型值)确保了信号完整性, 尤其适合高速数据传输线路。 配置四个单向保护通道, 能够有效抵御瞬态电压尖峰, 保障敏感电路的安全运行。

HPESD4USB3U-TBS特性

暂无产品特性。

HPESD4USB3U-TBS应用领域

暂无应用领域。

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