HPESD4USB3U-TBS
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HPESD4USB3U-TBS
这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力, 工作电压为3.3V, 适配多种电子设备需求。 其低结电容(0.6pF典型值)确保了信号完整性, 尤其适合高速数据传输线路。 配置四个单向保护通道, 能够有效抵御瞬态电压尖峰, 保障敏感电路的安全运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
55
货期
现货
HPESD4USB3U-TBS参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
HPESD4USB3U-TBS概述
这款静电和浪涌保护器具备4A电流处理能力, 工作电压为3.3V, 适配多种电子设备需求。 其低结电容(0.6pF典型值)确保了信号完整性, 尤其适合高速数据传输线路。 配置四个单向保护通道, 能够有效抵御瞬态电压尖峰, 保障敏感电路的安全运行。
HPESD4USB3U-TBS特性
暂无产品特性。
HPESD4USB3U-TBS应用领域
暂无应用领域。
