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HPESD4USB3B-TT
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HPESD4USB3B-TT

这款静电和浪涌保护器具备4个单向保护通道, 设计用于3.3V电压系统。 它支持最高4A的电流, 具有低至0.6pF的典型结电容, 适合对信号完整性要求高的应用。 适用于各类电子设备中的高速数据线保护, 可在不干扰数据传输的情况下有效防止静电放电和浪涌冲击。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN2510-10L

Stock

20

货期

现货

HPESD4USB3B-TTParameters

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

HPESD4USB3B-TT概述

这款静电和浪涌保护器具备4个单向保护通道, 设计用于3.3V电压系统。 它支持最高4A的电流, 具有低至0.6pF的典型结电容, 适合对信号完整性要求高的应用。 适用于各类电子设备中的高速数据线保护, 可在不干扰数据传输的情况下有效防止静电放电和浪涌冲击。

HPESD4USB3B-TT特性

暂无产品特性。

HPESD4USB3B-TT应用领域

暂无应用领域。

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