HPESD4USB3B-TT
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HPESD4USB3B-TT
这款静电和浪涌保护器具备4个单向保护通道, 设计用于3.3V电压系统。 它支持最高4A的电流, 具有低至0.6pF的典型结电容, 适合对信号完整性要求高的应用。 适用于各类电子设备中的高速数据线保护, 可在不干扰数据传输的情况下有效防止静电放电和浪涌冲击。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN2510-10L
Stock
20
货期
现货
HPESD4USB3B-TTParameters
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HPESD4USB3B-TT概述
这款静电和浪涌保护器具备4个单向保护通道, 设计用于3.3V电压系统。 它支持最高4A的电流, 具有低至0.6pF的典型结电容, 适合对信号完整性要求高的应用。 适用于各类电子设备中的高速数据线保护, 可在不干扰数据传输的情况下有效防止静电放电和浪涌冲击。
HPESD4USB3B-TT特性
暂无产品特性。
HPESD4USB3B-TT应用领域
暂无应用领域。
