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HPESD3V3S2UT215
IC

SOT-23

可供量大可议

HPESD3V3S2UT215

此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)具备18安培的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够在遇到电压突变时迅速响应, 保护敏感电路免受损害。 其最大持续工作电压(VRWM)为3.3V, 适配于多种低电压应用场景。 元件拥有207皮法(pF)的电容值(CJ), 适合用于需要平衡信号完整性和保护性能的接口。 采用单向(Uni)设计, 适用于需要单向过压保护的场景。 双通道配置使得该元件可以同时保护两个独立的数据或信号线路, 提高了系统的可靠性和安全性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,980

货期

现货

HPESD3V3S2UT215参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2980

HPESD3V3S2UT215概述

此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)具备18安培的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够在遇到电压突变时迅速响应, 保护敏感电路免受损害。 其最大持续工作电压(VRWM)为3.3V, 适配于多种低电压应用场景。 元件拥有207皮法(pF)的电容值(CJ), 适合用于需要平衡信号完整性和保护性能的接口。 采用单向(Uni)设计, 适用于需要单向过压保护的场景。 双通道配置使得该元件可以同时保护两个独立的数据或信号线路, 提高了系统的可靠性和安全性。

HPESD3V3S2UT215特性

暂无产品特性。

HPESD3V3S2UT215应用领域

暂无应用领域。

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