HPESD3V3S2UT215
IC
SOT-23
可供量大可议
HPESD3V3S2UT215
此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)具备18安培的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够在遇到电压突变时迅速响应, 保护敏感电路免受损害。 其最大持续工作电压(VRWM)为3.3V, 适配于多种低电压应用场景。 元件拥有207皮法(pF)的电容值(CJ), 适合用于需要平衡信号完整性和保护性能的接口。 采用单向(Uni)设计, 适用于需要单向过压保护的场景。 双通道配置使得该元件可以同时保护两个独立的数据或信号线路, 提高了系统的可靠性和安全性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,980
货期
现货
HPESD3V3S2UT215参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2980 |
HPESD3V3S2UT215概述
此款静电和浪涌保护元件(TVS/ESD)具备18安培的峰值脉冲电流(IPP)承受能力, 能够在遇到电压突变时迅速响应, 保护敏感电路免受损害。 其最大持续工作电压(VRWM)为3.3V, 适配于多种低电压应用场景。 元件拥有207皮法(pF)的电容值(CJ), 适合用于需要平衡信号完整性和保护性能的接口。 采用单向(Uni)设计, 适用于需要单向过压保护的场景。 双通道配置使得该元件可以同时保护两个独立的数据或信号线路, 提高了系统的可靠性和安全性。
HPESD3V3S2UT215特性
暂无产品特性。
HPESD3V3S2UT215应用领域
暂无应用领域。
