HPESD3V3S1BA
IC
SOD-523
可供量大可议
HPESD3V3S1BA
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 具备IPP 9A的脉冲电流承受能力, 确保在遭遇瞬时高电流时仍能稳定工作。 其VRWM为3.3V, 适合应用于低工作电压环境, 维持系统的持续稳定性。 该器件的电容CJ仅为15pF, 有助于减少信号延迟和失真, 保持数据传输的完整性。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它能够有效抵御双向的电压突变, 提供全面的静电和浪涌防护。 此产品适用于各类对保护性能有严格要求的电子设备接口, 如个人电子产品和通信装置等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
800
货期
现货
HPESD3V3S1BA参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 800 |
HPESD3V3S1BA概述
此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD), 具备IPP 9A的脉冲电流承受能力, 确保在遭遇瞬时高电流时仍能稳定工作。 其VRWM为3.3V, 适合应用于低工作电压环境, 维持系统的持续稳定性。 该器件的电容CJ仅为15pF, 有助于减少信号延迟和失真, 保持数据传输的完整性。 作为1通道Bi双向类型的保护元件, 它能够有效抵御双向的电压突变, 提供全面的静电和浪涌防护。 此产品适用于各类对保护性能有严格要求的电子设备接口, 如个人电子产品和通信装置等。
HPESD3V3S1BA特性
暂无产品特性。
HPESD3V3S1BA应用领域
暂无应用领域。
