HPESD12VS1UAF
IC
SOD-323
可供量大可议
HPESD12VS1UAF
此款Uni单向保护器件为单通道设计, 专为电压保护优化。 它能在12V反向电压(VRWM)下稳定工作, 展现出强大的12A峰值电流承受力(IPP), 有效抵御瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 更适合于对信号速度要求不那么严格的环境, 但其在保障电路安全、防止过电压损害方面表现出色, 是众多电子设备保护方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
220
货期
现货
HPESD12VS1UAF参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 220 |
HPESD12VS1UAF概述
此款Uni单向保护器件为单通道设计, 专为电压保护优化。 它能在12V反向电压(VRWM)下稳定工作, 展现出强大的12A峰值电流承受力(IPP), 有效抵御瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 更适合于对信号速度要求不那么严格的环境, 但其在保障电路安全、防止过电压损害方面表现出色, 是众多电子设备保护方案的理想选择。
HPESD12VS1UAF特性
暂无产品特性。
HPESD12VS1UAF应用领域
暂无应用领域。
