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HPESD12VL1BSLAZ
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESD12VL1BSLAZ

这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型, 具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力, 以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。 其特征电容仅为6.5pF, 适合要求严苛的高速数据接口保护。 适用于单线保护的设计, 能在不影响数据传输速率的前提下, 为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护, 确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

200

货期

现货

HPESD12VL1BSLAZ参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存200

HPESD12VL1BSLAZ概述

这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型, 具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力, 以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。 其特征电容仅为6.5pF, 适合要求严苛的高速数据接口保护。 适用于单线保护的设计, 能在不影响数据传输速率的前提下, 为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护, 确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。

HPESD12VL1BSLAZ特性

暂无产品特性。

HPESD12VL1BSLAZ应用领域

暂无应用领域。

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