HPESD12VL1BSLAZ
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESD12VL1BSLAZ
这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型, 具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力, 以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。 其特征电容仅为6.5pF, 适合要求严苛的高速数据接口保护。 适用于单线保护的设计, 能在不影响数据传输速率的前提下, 为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护, 确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
200
货期
现货
HPESD12VL1BSLAZ参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HPESD12VL1BSLAZ概述
这款静电和浪涌保护器件属于双向TVS二极管类型, 具备8A的IPP(峰值脉冲电流)承受能力, 以及12V的VRWM(重复峰值反向电压)。 其特征电容仅为6.5pF, 适合要求严苛的高速数据接口保护。 适用于单线保护的设计, 能在不影响数据传输速率的前提下, 为电子设备中的关键线路提供可靠的瞬态电压抑制与静电放电保护, 确保设备在遭遇突发电压波动时仍能稳定运行。
HPESD12VL1BSLAZ特性
暂无产品特性。
HPESD12VL1BSLAZ应用领域
暂无应用领域。
