HPESD12VL1BA115
IC
SOD-323
可供量大可议
HPESD12VL1BA115
该静电和浪涌保护器件为双向型, IPP/A峰值脉冲电流达到15安培, 能有效抵御瞬态高压冲击。 其最大重复工作电压(VRWM/V)为12伏特, 适用于需要中高压保护的应用中。 结电容(CJ)为20皮法, 适用于对电容有一定容忍度的数据线保护。 该器件设计为单线(1线)保护, 适用于需要双向电流保护的应用场景, 如通讯端口及其他电子设备的防护。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
3,000
货期
现货
HPESD12VL1BA115参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
HPESD12VL1BA115概述
该静电和浪涌保护器件为双向型, IPP/A峰值脉冲电流达到15安培, 能有效抵御瞬态高压冲击。 其最大重复工作电压(VRWM/V)为12伏特, 适用于需要中高压保护的应用中。 结电容(CJ)为20皮法, 适用于对电容有一定容忍度的数据线保护。 该器件设计为单线(1线)保护, 适用于需要双向电流保护的应用场景, 如通讯端口及其他电子设备的防护。
HPESD12VL1BA115特性
暂无产品特性。
HPESD12VL1BA115应用领域
暂无应用领域。
