库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HPESD12VL1BA115
IC

SOD-323

可供量大可议

HPESD12VL1BA115

该静电和浪涌保护器件为双向型, IPP/A峰值脉冲电流达到15安培, 能有效抵御瞬态高压冲击。 其最大重复工作电压(VRWM/V)为12伏特, 适用于需要中高压保护的应用中。 结电容(CJ)为20皮法, 适用于对电容有一定容忍度的数据线保护。 该器件设计为单线(1线)保护, 适用于需要双向电流保护的应用场景, 如通讯端口及其他电子设备的防护。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

3,000

货期

现货

HPESD12VL1BA115参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存3000

HPESD12VL1BA115概述

该静电和浪涌保护器件为双向型, IPP/A峰值脉冲电流达到15安培, 能有效抵御瞬态高压冲击。 其最大重复工作电压(VRWM/V)为12伏特, 适用于需要中高压保护的应用中。 结电容(CJ)为20皮法, 适用于对电容有一定容忍度的数据线保护。 该器件设计为单线(1线)保护, 适用于需要双向电流保护的应用场景, 如通讯端口及其他电子设备的防护。

HPESD12VL1BA115特性

暂无产品特性。

HPESD12VL1BA115应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件