HNXPSC20650W6Q
IC
TO-247
可供量大可议
HNXPSC20650W6Q
此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流(IF/A), 适用于要求严苛的电流处理需求。 其额定反向电压(VR/V)为650V, 确保了在高压环境下的可靠性。 正向电压降(VF/V)为1.3V, 有助于减少导通损耗, 提高整体效率。 反向漏电流(IR/uA)控制在40微安水平, 表明其拥有良好的绝缘性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达到150A, 使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择, 适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
24
货期
现货
HNXPSC20650W6Q参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
HNXPSC20650W6Q概述
此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流(IF/A), 适用于要求严苛的电流处理需求。 其额定反向电压(VR/V)为650V, 确保了在高压环境下的可靠性。 正向电压降(VF/V)为1.3V, 有助于减少导通损耗, 提高整体效率。 反向漏电流(IR/uA)控制在40微安水平, 表明其拥有良好的绝缘性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达到150A, 使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择, 适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。
HNXPSC20650W6Q特性
暂无产品特性。
HNXPSC20650W6Q应用领域
暂无应用领域。
