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HNXPSC20650W6Q
IC

TO-247

可供量大可议

HNXPSC20650W6Q

此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流(IF/A), 适用于要求严苛的电流处理需求。 其额定反向电压(VR/V)为650V, 确保了在高压环境下的可靠性。 正向电压降(VF/V)为1.3V, 有助于减少导通损耗, 提高整体效率。 反向漏电流(IR/uA)控制在40微安水平, 表明其拥有良好的绝缘性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达到150A, 使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择, 适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

24

货期

现货

HNXPSC20650W6Q参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

HNXPSC20650W6Q概述

此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流(IF/A), 适用于要求严苛的电流处理需求。 其额定反向电压(VR/V)为650V, 确保了在高压环境下的可靠性。 正向电压降(VF/V)为1.3V, 有助于减少导通损耗, 提高整体效率。 反向漏电流(IR/uA)控制在40微安水平, 表明其拥有良好的绝缘性能。 此外, 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达到150A, 使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择, 适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。

HNXPSC20650W6Q特性

暂无产品特性。

HNXPSC20650W6Q应用领域

暂无应用领域。

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