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HNXPSC166506Q
IC

TO-220H-2L

可供量大可议

HNXPSC166506Q

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性, 其最大平均正向电流(IF)可达16A, 在反向电压(VR)为650V的情况下能够确保电路的安全运行。 该二极管在正向导通时电压降(VF)仅为1.3V, 有助于减少能量损耗。 在温度升高时, 其反向漏电流(IR)被限制在100μA以内, 保证了在不同环境下的稳定性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高支持128A, 使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。 这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H-2L

库存

47

货期

现货

HNXPSC166506Q参数

封装TO-220H-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存47

HNXPSC166506Q概述

这款碳化硅二极管具备出色的电气特性, 其最大平均正向电流(IF)可达16A, 在反向电压(VR)为650V的情况下能够确保电路的安全运行。 该二极管在正向导通时电压降(VF)仅为1.3V, 有助于减少能量损耗。 在温度升高时, 其反向漏电流(IR)被限制在100μA以内, 保证了在不同环境下的稳定性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高支持128A, 使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。 这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。

HNXPSC166506Q特性

暂无产品特性。

HNXPSC166506Q应用领域

暂无应用领域。

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