HNXPSC166506Q
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HNXPSC166506Q
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性, 其最大平均正向电流(IF)可达16A, 在反向电压(VR)为650V的情况下能够确保电路的安全运行。 该二极管在正向导通时电压降(VF)仅为1.3V, 有助于减少能量损耗。 在温度升高时, 其反向漏电流(IR)被限制在100μA以内, 保证了在不同环境下的稳定性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高支持128A, 使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。 这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
47
货期
现货
HNXPSC166506Q参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
HNXPSC166506Q概述
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性, 其最大平均正向电流(IF)可达16A, 在反向电压(VR)为650V的情况下能够确保电路的安全运行。 该二极管在正向导通时电压降(VF)仅为1.3V, 有助于减少能量损耗。 在温度升高时, 其反向漏电流(IR)被限制在100μA以内, 保证了在不同环境下的稳定性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)最高支持128A, 使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。 这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。
HNXPSC166506Q特性
暂无产品特性。
HNXPSC166506Q应用领域
暂无应用领域。
