HNXPSC04650D6J

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向击穿电压（VR）， 能够在高功率密度设计中提供可靠的性能。 其正向电压降（VF）仅为1.3V， 在大电流工作条件下能有效降低功耗。 反向漏电流（IR）控制在50微安， 在非导通状态下确保了低功耗。 瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达36A， 适用于需要承受短时电流峰值的应用环境。 此二极管的特性使其成为需要高效能和稳定性的电路设计中的理想选择。