HNX138BKWX

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的最大漏源电压（VDSS）， 可在高达20V的栅源电压（VGS）下工作。 其导通电阻（RDSON）为1300毫欧， 在额定电流（ID/A）为0.1A时， 适合用于需要精细电流控制的应用中。 该MOSFET适用于电子爱好者或研发实验室中的原型制作， 特别是在那些需要高电压而电流负载较小的场合， 如家用电器的微控制器输出驱动或LED驱动电路。 其高耐压特性结合较低的功耗， 保证了在各种精密控制应用中的可靠性。