HNVTFS5826NLTWG

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的最大漏源电压（VDSS）， 适用于高效率的开关应用。 其导通电阻（RDON）仅为12毫欧， 在大电流应用中能保持较低的发热水平。 该MOSFET支持最高20伏的栅源电压（VGS）， 确保了宽范围的驱动兼容性。 此元件广泛适用于电源管理、电池充电控制及各类电子设备中的信号放大与开关功能。