HNVR5124PLT1G

这款P沟道MOSFET支持2A的连续漏极电流， 最大漏源电压可达60V。 其导通电阻为160毫欧姆， 在栅源电压不超过20V时能够稳定工作。 适用于消费电子、家用电器及个人电子设备中的电源管理和信号控制应用。 凭借优异的电气性能和稳定性， 该MOSFET有助于提高电路效率并减少能量损耗， 是多种小型电子装置的理想选择。