HNVH4L095N065SC1

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续漏极电流能力与650V的漏源电压耐受水平， 导通电阻为60mΩ， 保证了较低的功率损耗。 其栅源电压工作范围达到15V， 适合于需要高效能和稳定性的电路设计中使用。 该器件适用于要求高效率、快速开关速度及紧凑设计的各种电子设备， 如高性能电源转换器和个人电子产品中的能量管理系统。