HNTTFS5116PLTWG
IC
WDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
HNTTFS5116PLTWG
此款P沟道场效应管具备优良的电气特性， 适用于多种电子设备。 其最大连续漏极电流为20A， 能够满足较高功率需求的应用场景； 耐压值达到60V， 保证了在较宽电压范围内的稳定工作。 导通电阻仅为70mΩ， 有效降低了功耗， 提高了效率。 栅源电压范围支持至20V， 确保了良好的控制性能。 凭借这些特点， 该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合， 是设计紧凑且高效电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
WDFN-8(3.3x3.3)
库存
50
货期
现货
HNTTFS5116PLTWG参数
| 封装 | WDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HNTTFS5116PLTWG概述
此款P沟道场效应管具备优良的电气特性， 适用于多种电子设备。 其最大连续漏极电流为20A， 能够满足较高功率需求的应用场景； 耐压值达到60V， 保证了在较宽电压范围内的稳定工作。 导通电阻仅为70mΩ， 有效降低了功耗， 提高了效率。 栅源电压范围支持至20V， 确保了良好的控制性能。 凭借这些特点， 该产品适合用于电源管理、负载开关以及需要精确电流控制的场合， 是设计紧凑且高效电路的理想选择。
HNTTFS5116PLTWG特性
暂无产品特性。
HNTTFS5116PLTWG应用领域
暂无应用领域。