HNTR4171PT1G

这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于需要高效率与紧凑尺寸的应用， 其最大连续漏极电流为4.2A， 能够承受30V的漏源电压。 具有低至45毫欧姆的导通电阻， 有助于减少功率损耗并提高系统效能。 栅源电压工作范围为12V， 确保了良好的驱动兼容性。 该器件适用于电源转换、便携式设备及消费电子产品中的开关电路， 以提供可靠的性能和长久的使用寿命。