HNTMFS4C06N
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
HNTMFS4C06N
这款N沟道场效应管（MOSFET）提供150安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS）， 适合应用于需要高电流承载能力的场合。 其极低的导通电阻（RDS
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5X6-8L
库存
45
货期
现货
HNTMFS4C06N参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
HNTMFS4C06N概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）提供150安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS）， 适合应用于需要高电流承载能力的场合。 其极低的导通电阻（RDS
HNTMFS4C06N特性
暂无产品特性。
HNTMFS4C06N应用领域
暂无应用领域。