HNTD6414ANT4G

这款N沟道场效应管具备30A的最大漏极电流ID， 能够满足较大电流负载的需求。 其最大漏源电压VDSS为100V， 适用于多种高压环境下的应用。 35mΩ的低导通电阻RDON有助于显著降低功耗， 提高系统效率。 栅源电压VGS为20V， 确保了良好的开关控制性能。 该MOSFET非常适合用于消费电子设备中的电源管理、开关电路以及需要高效能转换的应用场合。