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HNRVUS1MFA
IC

SOD-123FL

可供量大可议

HNRVUS1MFA

本产品为快恢复二极管, 额定正向电流IF为1A, 反向耐压VR为1000V, 适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。 导通状态下正向压降VF为1.7V, 在高频工作条件下仍能保持稳定性能; 反向漏电流IR仅为5μA, 具有良好的阻断特性和低损耗优势。 器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A, 具备较强的瞬态过载能力。 该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中, 满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

895

货期

现货

HNRVUS1MFA参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类通用二极管
库存895

HNRVUS1MFA概述

本产品为快恢复二极管, 额定正向电流IF为1A, 反向耐压VR为1000V, 适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。 导通状态下正向压降VF为1.7V, 在高频工作条件下仍能保持稳定性能; 反向漏电流IR仅为5μA, 具有良好的阻断特性和低损耗优势。 器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A, 具备较强的瞬态过载能力。 该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中, 满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

HNRVUS1MFA特性

暂无产品特性。

HNRVUS1MFA应用领域

暂无应用领域。

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