HNRVUS1MFA
IC
SOD-123FL
可供量大可议
HNRVUS1MFA
本产品为快恢复二极管, 额定正向电流IF为1A, 反向耐压VR为1000V, 适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。 导通状态下正向压降VF为1.7V, 在高频工作条件下仍能保持稳定性能; 反向漏电流IR仅为5μA, 具有良好的阻断特性和低损耗优势。 器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A, 具备较强的瞬态过载能力。 该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中, 满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
895
货期
现货
HNRVUS1MFA参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 通用二极管 |
|---|---|
| 库存 | 895 |
HNRVUS1MFA概述
本产品为快恢复二极管, 额定正向电流IF为1A, 反向耐压VR为1000V, 适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。 导通状态下正向压降VF为1.7V, 在高频工作条件下仍能保持稳定性能; 反向漏电流IR仅为5μA, 具有良好的阻断特性和低损耗优势。 器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A, 具备较强的瞬态过载能力。 该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中, 满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。
HNRVUS1MFA特性
暂无产品特性。
HNRVUS1MFA应用领域
暂无应用领域。
