HNRVTSS3100ET3G
IC
SMB
可供量大可议
HNRVTSS3100ET3G
这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。 其正向压降(VF)仅为0.85V, 在大电流工作条件下能够有效降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 表明其具备良好的阻断性能。 瞬态的最大正向浪涌电流(IFSM)可达70A, 适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
2,930
货期
现货
HNRVTSS3100ET3G参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2930 |
HNRVTSS3100ET3G概述
这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。 其正向压降(VF)仅为0.85V, 在大电流工作条件下能够有效降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 表明其具备良好的阻断性能。 瞬态的最大正向浪涌电流(IFSM)可达70A, 适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。
HNRVTSS3100ET3G特性
暂无产品特性。
HNRVTSS3100ET3G应用领域
暂无应用领域。
