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HNRVTSS3100ET3G
IC

SMB

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HNRVTSS3100ET3G

这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。 其正向压降(VF)仅为0.85V, 在大电流工作条件下能够有效降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 表明其具备良好的阻断性能。 瞬态的最大正向浪涌电流(IFSM)可达70A, 适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

2,930

货期

现货

HNRVTSS3100ET3G参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存2930

HNRVTSS3100ET3G概述

这款肖特基二极管具有3A的最大正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于多种电子设备中的高效能整流或保护电路。 其正向压降(VF)仅为0.85V, 在大电流工作条件下能够有效降低功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 表明其具备良好的阻断性能。 瞬态的最大正向浪涌电流(IFSM)可达70A, 适合用于需要承受短时电流峰值的应用场合。

HNRVTSS3100ET3G特性

暂无产品特性。

HNRVTSS3100ET3G应用领域

暂无应用领域。

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