HNRVBSS24T3G
IC
SMB
可供量大可议
HNRVBSS24T3G
这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流(IF)承载能力, 以及40伏特的最大反向电压(VR)。 其正向电压降(VF)仅为0.55伏特, 确保了高效的能量转换。 在反向工作条件下, 该二极管的最大漏电流(IR)为500微安。 此外, 它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流(IFSM)。 这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合, 例如开关电源、整流以及保护电路等。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMB
Stock
46
货期
现货
HNRVBSS24T3GParameters
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 46 |
HNRVBSS24T3G概述
这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流(IF)承载能力, 以及40伏特的最大反向电压(VR)。 其正向电压降(VF)仅为0.55伏特, 确保了高效的能量转换。 在反向工作条件下, 该二极管的最大漏电流(IR)为500微安。 此外, 它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流(IFSM)。 这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合, 例如开关电源、整流以及保护电路等。
HNRVBSS24T3G特性
暂无产品特性。
HNRVBSS24T3G应用领域
暂无应用领域。
