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HNRVBSS24T3G
IC

SMB

可供量大可议

HNRVBSS24T3G

这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流(IF)承载能力, 以及40伏特的最大反向电压(VR)。 其正向电压降(VF)仅为0.55伏特, 确保了高效的能量转换。 在反向工作条件下, 该二极管的最大漏电流(IR)为500微安。 此外, 它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流(IFSM)。 这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合, 例如开关电源、整流以及保护电路等。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMB

Stock

46

货期

现货

HNRVBSS24T3GParameters

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存46

HNRVBSS24T3G概述

这款肖特基二极管拥有2安培的正向电流(IF)承载能力, 以及40伏特的最大反向电压(VR)。 其正向电压降(VF)仅为0.55伏特, 确保了高效的能量转换。 在反向工作条件下, 该二极管的最大漏电流(IR)为500微安。 此外, 它还能承受高达50安培的瞬态峰值电流(IFSM)。 这些特性使其非常适合应用于要求低功耗和高频率操作的场合, 例如开关电源、整流以及保护电路等。

HNRVBSS24T3G特性

暂无产品特性。

HNRVBSS24T3G应用领域

暂无应用领域。

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