HNNCD36DT(0)-T1-AT
IC
SOD-323
可供量大可议
HNNCD36DT(0)-T1-AT
这款高性能双向ESD保护二极管， 专为单路信号线设计， 耐压值达36V， 提供更宽泛的保护范围。 4.5A峰值电流处理能力， 确保瞬态电压得到迅速抑制。 20皮法低电容特性， 完美适配高速数据传输场景， 无惧信号衰减， 是高端电子设备及通信系统中预防静电损伤的优选组件， 确保信号纯净与设备安全。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
50
货期
现货
HNNCD36DT(0)-T1-AT参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HNNCD36DT(0)-T1-AT概述
这款高性能双向ESD保护二极管， 专为单路信号线设计， 耐压值达36V， 提供更宽泛的保护范围。 4.5A峰值电流处理能力， 确保瞬态电压得到迅速抑制。 20皮法低电容特性， 完美适配高速数据传输场景， 无惧信号衰减， 是高端电子设备及通信系统中预防静电损伤的优选组件， 确保信号纯净与设备安全。
HNNCD36DT(0)-T1-AT特性
暂无产品特性。
HNNCD36DT(0)-T1-AT应用领域
暂无应用领域。