HN1C03FU-B, LF
IC
TSSOP-6(SC-88)SOT-363
可供量大可议
HN1C03FU-B, LF
特性：包含两个采用US6封装（6引脚超小型）的器件。 高发射极-基极电压：VEBO = 25V（最小值）。 高反向hFE：反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻：RON = 12（典型值）(IB = 5mA)。 应用：静音和开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
TSSOP-6(SC-88)SOT-363
库存
95
货期
现货
HN1C03FU-B, LF参数
| 封装 | TSSOP-6(SC-88)SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
HN1C03FU-B, LF概述
特性：包含两个采用US6封装（6引脚超小型）的器件。 高发射极-基极电压：VEBO = 25V（最小值）。 高反向hFE：反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻：RON = 12（典型值）(IB = 5mA)。 应用：静音和开关应用
HN1C03FU-B, LF特性
暂无产品特性。
HN1C03FU-B, LF应用领域
暂无应用领域。