HN1B04FU-Y, LF
IC
US6
可供量大可议
HN1B04FU-Y, LF
特性：高电压：VCEO = 50V。 高集电极电流：IC = 150 mA（最大）。 高hFE：hFE = 120 至 400。 出色的hFE线性度：hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值）。 高电压：VCEO = -50V。 高集电极电流：IC = -150 mA（最大）。 应用：低频放大器
品牌
TOSHIBA
封装
US6
库存
195
货期
现货
HN1B04FU-Y, LF参数
| 封装 | US6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
HN1B04FU-Y, LF概述
特性：高电压：VCEO = 50V。 高集电极电流：IC = 150 mA（最大）。 高hFE：hFE = 120 至 400。 出色的hFE线性度：hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值）。 高电压：VCEO = -50V。 高集电极电流：IC = -150 mA（最大）。 应用：低频放大器
HN1B04FU-Y, LF特性
暂无产品特性。
HN1B04FU-Y, LF应用领域
暂无应用领域。