HN1B04FE-GR, LF
IC
SOT-666-6
可供量大可议
HN1B04FE-GR, LF
特性：高电压和高电流:VCEO = 50V, IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高电压和高电流:VCEO = -50V, IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。 应用：音频通用放大器应用
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-666-6
库存
25
货期
现货
HN1B04FE-GR, LF参数
| 封装 | SOT-666-6 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
HN1B04FE-GR, LF概述
特性：高电压和高电流:VCEO = 50V, IC = 150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值)。 高电压和高电流:VCEO = -50V, IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 120至400。 出色的hFE线性度:hFE(IC = -0.1mA) / hFE(IC = -2mA) = 0.95(典型值)。 应用：音频通用放大器应用
HN1B04FE-GR, LF特性
暂无产品特性。
HN1B04FE-GR, LF应用领域
暂无应用领域。