HMUN2233T1G

这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压（Vceo）， 支持最大100mA的集电极电流（Ic）， 功率耗散能力为200mW。 它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路， 如信号放大、开关控制等。 该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色， 是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。