HMMUN2233LT1G

这款数字晶体管， 内置1个预偏置NPN结构， 特别适合数字电路应用。 集射极击穿电压高达50V， 保证了良好的安全性与稳定性。 集电极电流能力达到100mA， 功率消耗低至246mW， 非常适用于低功耗、高效能的电子设计， 如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。 它的小巧高效， 为您的电子创新项目提供可靠动力， 提升系统性能。