HMMDT55517F
IC
SOT-363
可供量大可议
HMMDT55517F
该NPN+NPN复合结构三极管(BJT)拥有100-200的高电流增益(HFE), 适用于放大及开关电路。 其集电极-发射极最大电压(VCEO)可达160V, 确保了在高压环境下的稳定运行; 截止频率(FT)为100MHz, 适合处理中高频信号。 静态集电极电流(IC)为0.2A, 适用于对功率要求适中的电子设备。 此款三极管以其出色的电气特性和可靠性, 在家用电器、消费电子产品等领域广泛应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
50
货期
现货
HMMDT55517F参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HMMDT55517F概述
该NPN+NPN复合结构三极管(BJT)拥有100-200的高电流增益(HFE), 适用于放大及开关电路。 其集电极-发射极最大电压(VCEO)可达160V, 确保了在高压环境下的稳定运行; 截止频率(FT)为100MHz, 适合处理中高频信号。 静态集电极电流(IC)为0.2A, 适用于对功率要求适中的电子设备。 此款三极管以其出色的电气特性和可靠性, 在家用电器、消费电子产品等领域广泛应用。
HMMDT55517F特性
暂无产品特性。
HMMDT55517F应用领域
暂无应用领域。
