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HMMDT55517F
IC

SOT-363

可供量大可议

HMMDT55517F

该NPN+NPN复合结构三极管(BJT)拥有100-200的高电流增益(HFE), 适用于放大及开关电路。 其集电极-发射极最大电压(VCEO)可达160V, 确保了在高压环境下的稳定运行; 截止频率(FT)为100MHz, 适合处理中高频信号。 静态集电极电流(IC)为0.2A, 适用于对功率要求适中的电子设备。 此款三极管以其出色的电气特性和可靠性, 在家用电器、消费电子产品等领域广泛应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

50

货期

现货

HMMDT55517F参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存50

HMMDT55517F概述

该NPN+NPN复合结构三极管(BJT)拥有100-200的高电流增益(HFE), 适用于放大及开关电路。 其集电极-发射极最大电压(VCEO)可达160V, 确保了在高压环境下的稳定运行; 截止频率(FT)为100MHz, 适合处理中高频信号。 静态集电极电流(IC)为0.2A, 适用于对功率要求适中的电子设备。 此款三极管以其出色的电气特性和可靠性, 在家用电器、消费电子产品等领域广泛应用。

HMMDT55517F特性

暂无产品特性。

HMMDT55517F应用领域

暂无应用领域。

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