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HMMDT39067F
IC

SOT-363

可供量大可议

HMMDT39067F

这款三极管属于BJT类型, 采用PNP+PNP结构设计, 具有较高的电流增益比(HFE), 范围在100至300之间, 适合放大信号和开关电路。 其集电极-发射极间电压(VCEO)可达40伏特, 确保了良好的耐压性能; 同时, 该器件的特征频率(FT)为250MHz, 表明它能够处理高频信号应用。 静态电流IC/A为0.2安培, 适用于要求低功耗的工作环境。 此款三极管因其稳定的电气特性和宽泛的工作条件, 在多种电子设备中表现出色。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

860

货期

现货

HMMDT39067F参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存860

HMMDT39067F概述

这款三极管属于BJT类型, 采用PNP+PNP结构设计, 具有较高的电流增益比(HFE), 范围在100至300之间, 适合放大信号和开关电路。 其集电极-发射极间电压(VCEO)可达40伏特, 确保了良好的耐压性能; 同时, 该器件的特征频率(FT)为250MHz, 表明它能够处理高频信号应用。 静态电流IC/A为0.2安培, 适用于要求低功耗的工作环境。 此款三极管因其稳定的电气特性和宽泛的工作条件, 在多种电子设备中表现出色。

HMMDT39067F特性

暂无产品特性。

HMMDT39067F应用领域

暂无应用领域。

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