HMMBT5551T
IC
SOT-523
可供量大可议
HMMBT5551T
这款NPN型双极结型晶体管(BJT)支持最大集电极电流(IC)为0.6A, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为160V, 电流增益(HFE)在100至300之间, 特征频率(FT)高达300MHz。 该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用, 是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择, 能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
6,280
货期
现货
HMMBT5551T参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 6280 |
HMMBT5551T概述
这款NPN型双极结型晶体管(BJT)支持最大集电极电流(IC)为0.6A, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为160V, 电流增益(HFE)在100至300之间, 特征频率(FT)高达300MHz。 该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用, 是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择, 能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。
HMMBT5551T特性
暂无产品特性。
HMMBT5551T应用领域
暂无应用领域。
