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HMMBT5551T
IC

SOT-523

可供量大可议

HMMBT5551T

这款NPN型双极结型晶体管(BJT)支持最大集电极电流(IC)为0.6A, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为160V, 电流增益(HFE)在100至300之间, 特征频率(FT)高达300MHz。 该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用, 是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择, 能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

6,280

货期

现货

HMMBT5551T参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类三极管(BJT)
库存6280

HMMBT5551T概述

这款NPN型双极结型晶体管(BJT)支持最大集电极电流(IC)为0.6A, 最大集电极-发射极电压(VCEO)为160V, 电流增益(HFE)在100至300之间, 特征频率(FT)高达300MHz。 该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用, 是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择, 能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。

HMMBT5551T特性

暂无产品特性。

HMMBT5551T应用领域

暂无应用领域。

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