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HMMBT5401T
IC

SOT-523

可供量大可议

HMMBT5401T

此款PNP型双极结型晶体管(BJT)具备0.6A的集电极最大电流(IC), 最高可承受150V的集电极-发射极电压(VCEO), 其电流增益(HFE)范围为100至300, 特征频率(FT)达到100MHz。 该晶体管适用于高频开关及放大应用, 适用于电信号处理与控制, 以及消费电子中的音频放大和信号调节电路中, 能够提供稳定的性能和可靠的电流控制能力。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

3,050

货期

现货

HMMBT5401T参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类三极管(BJT)
库存3050

HMMBT5401T概述

此款PNP型双极结型晶体管(BJT)具备0.6A的集电极最大电流(IC), 最高可承受150V的集电极-发射极电压(VCEO), 其电流增益(HFE)范围为100至300, 特征频率(FT)达到100MHz。 该晶体管适用于高频开关及放大应用, 适用于电信号处理与控制, 以及消费电子中的音频放大和信号调节电路中, 能够提供稳定的性能和可靠的电流控制能力。

HMMBT5401T特性

暂无产品特性。

HMMBT5401T应用领域

暂无应用领域。

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