HMMBT5401T
IC
SOT-523
可供量大可议
HMMBT5401T
此款PNP型双极结型晶体管(BJT)具备0.6A的集电极最大电流(IC), 最高可承受150V的集电极-发射极电压(VCEO), 其电流增益(HFE)范围为100至300, 特征频率(FT)达到100MHz。 该晶体管适用于高频开关及放大应用, 适用于电信号处理与控制, 以及消费电子中的音频放大和信号调节电路中, 能够提供稳定的性能和可靠的电流控制能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
3,050
货期
现货
HMMBT5401T参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3050 |
HMMBT5401T概述
此款PNP型双极结型晶体管(BJT)具备0.6A的集电极最大电流(IC), 最高可承受150V的集电极-发射极电压(VCEO), 其电流增益(HFE)范围为100至300, 特征频率(FT)达到100MHz。 该晶体管适用于高频开关及放大应用, 适用于电信号处理与控制, 以及消费电子中的音频放大和信号调节电路中, 能够提供稳定的性能和可靠的电流控制能力。
HMMBT5401T特性
暂无产品特性。
HMMBT5401T应用领域
暂无应用领域。
