HMDFN2C051US
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HMDFN2C051US
这款双向ESD静电保护二极管专为单路信号防护设计, 耐压5V, 具备4A瞬态电流承受力, 为电路板提供强大静电防护网。 0.5pF超低电容值, 确保信号传输不受干扰, 高速且清晰, 是精密电子设备和高速数据线路防静电干扰的优选元件, 强化系统整体性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
HMDFN2C051US参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HMDFN2C051US概述
这款双向ESD静电保护二极管专为单路信号防护设计, 耐压5V, 具备4A瞬态电流承受力, 为电路板提供强大静电防护网。 0.5pF超低电容值, 确保信号传输不受干扰, 高速且清晰, 是精密电子设备和高速数据线路防静电干扰的优选元件, 强化系统整体性能。
HMDFN2C051US特性
暂无产品特性。
HMDFN2C051US应用领域
暂无应用领域。
