HMC362S8GETR
IC
SOIC-8
可供量大可议
HMC362S8GETR
是低噪声四分频静态分频器, 采用InGaP GaAs HBT技术, 采用8引脚表面贴装塑料封装。 该器件在单+5V直流电源下, 输入频率从直流(方波输入)到12 GHz。 在100 kHz偏移下低附加单边带相位噪声为-149 dBc/Hz, 有助于用户保持良好的系统噪声性能。
品牌
ADI
封装
SOIC-8
库存
2
货期
现货
HMC362S8GETR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 时钟发生器/频率合成器/PLL |
|---|---|
| 库存 | 2 |
HMC362S8GETR概述
是低噪声四分频静态分频器, 采用InGaP GaAs HBT技术, 采用8引脚表面贴装塑料封装。 该器件在单+5V直流电源下, 输入频率从直流(方波输入)到12 GHz。 在100 kHz偏移下低附加单边带相位噪声为-149 dBc/Hz, 有助于用户保持良好的系统噪声性能。
HMC362S8GETR特性
暂无产品特性。
HMC362S8GETR应用领域
暂无应用领域。
