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HMC362S8GETR
IC

SOIC-8

可供量大可议

HMC362S8GETR

是低噪声四分频静态分频器, 采用InGaP GaAs HBT技术, 采用8引脚表面贴装塑料封装。 该器件在单+5V直流电源下, 输入频率从直流(方波输入)到12 GHz。 在100 kHz偏移下低附加单边带相位噪声为-149 dBc/Hz, 有助于用户保持良好的系统噪声性能。

品牌

ADI

封装

SOIC-8

库存

2

货期

现货

HMC362S8GETR参数

封装SOIC-8
品牌ADI(亚德诺)
MOQ / SPQ1 / 1
分类时钟发生器/频率合成器/PLL
库存2

HMC362S8GETR概述

是低噪声四分频静态分频器, 采用InGaP GaAs HBT技术, 采用8引脚表面贴装塑料封装。 该器件在单+5V直流电源下, 输入频率从直流(方波输入)到12 GHz。 在100 kHz偏移下低附加单边带相位噪声为-149 dBc/Hz, 有助于用户保持良好的系统噪声性能。

HMC362S8GETR特性

暂无产品特性。

HMC362S8GETR应用领域

暂无应用领域。

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