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HM4622A-VB
IC

SO-8

可供量大可议

HM4622A-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N沟道和P沟道MOSFET, 采用Trench技术, 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±30V; 11/-10.5A; RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

50

货期

现货

HM4622A-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存50

HM4622A-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N沟道和P沟道MOSFET, 采用Trench技术, 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±30V; 11/-10.5A; RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V

HM4622A-VB特性

暂无产品特性。

HM4622A-VB应用领域

暂无应用领域。

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