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HM2N10MR-VB
IC

SOT-23(TO-236)

可供量大可议

HM2N10MR-VB

SOT23; N—Channel沟道, 100V; 2A; RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.8V

品牌

VBsemi

封装

SOT-23(TO-236)

库存

50

货期

现货

HM2N10MR-VB参数

封装SOT-23(TO-236)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存50

HM2N10MR-VB概述

SOT23; N—Channel沟道, 100V; 2A; RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.8V

HM2N10MR-VB特性

暂无产品特性。

HM2N10MR-VB应用领域

暂无应用领域。

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