HM16N60F-VB
IC
TO-220
可供量大可议
HM16N60F-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 具有优秀的性能和可靠性。 采用Plannar技术制造， 适用于各种应用场合。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
HM16N60F-VB参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HM16N60F-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 具有优秀的性能和可靠性。 采用Plannar技术制造， 适用于各种应用场合。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
HM16N60F-VB特性
暂无产品特性。
HM16N60F-VB应用领域
暂无应用领域。