HLESD5Z7.0T1G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
HLESD5Z7.0T1G-HXY
此款静电和浪涌保护器件为单向设计, 具有9安培的峰值脉冲电流(IPP)处理能力, 在反向工作电压(VRWM)下可承受高达7伏特的电压。 其电容值(CJ)仅为40皮法拉, 适用于需要最小信号干扰的应用场景。 该器件适用于单线保护, 能够在数据传输线路中有效防止由静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰引起的损害, 确保设备稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
200
货期
现货
HLESD5Z7.0T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HLESD5Z7.0T1G-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件为单向设计, 具有9安培的峰值脉冲电流(IPP)处理能力, 在反向工作电压(VRWM)下可承受高达7伏特的电压。 其电容值(CJ)仅为40皮法拉, 适用于需要最小信号干扰的应用场景。 该器件适用于单线保护, 能够在数据传输线路中有效防止由静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰引起的损害, 确保设备稳定运行。
HLESD5Z7.0T1G-HXY特性
暂无产品特性。
HLESD5Z7.0T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
