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HLESD5Z7.0T1G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

HLESD5Z7.0T1G-HXY

此款静电和浪涌保护器件为单向设计, 具有9安培的峰值脉冲电流(IPP)处理能力, 在反向工作电压(VRWM)下可承受高达7伏特的电压。 其电容值(CJ)仅为40皮法拉, 适用于需要最小信号干扰的应用场景。 该器件适用于单线保护, 能够在数据传输线路中有效防止由静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰引起的损害, 确保设备稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

200

货期

现货

HLESD5Z7.0T1G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存200

HLESD5Z7.0T1G-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件为单向设计, 具有9安培的峰值脉冲电流(IPP)处理能力, 在反向工作电压(VRWM)下可承受高达7伏特的电压。 其电容值(CJ)仅为40皮法拉, 适用于需要最小信号干扰的应用场景。 该器件适用于单线保护, 能够在数据传输线路中有效防止由静电放电(ESD)或瞬态电压尖峰引起的损害, 确保设备稳定运行。

HLESD5Z7.0T1G-HXY特性

暂无产品特性。

HLESD5Z7.0T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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