HLESD5Z3.3T1G-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
HLESD5Z3.3T1G-HXY
这款单向静电和浪涌保护器件具备11.2安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及3.3伏的VRWM(重复性雪崩电压)额定值, 适用于需防护瞬态电压波动的场合。 其电容值为105皮法, 适合用于需保持良好信号完整性的单线接口保护。 此元件能在不显著影响信号传输性能的前提下, 为敏感电子设备提供有效的过压保护。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
6,050
货期
现货
HLESD5Z3.3T1G-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6050 |
HLESD5Z3.3T1G-HXY概述
这款单向静电和浪涌保护器件具备11.2安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及3.3伏的VRWM(重复性雪崩电压)额定值, 适用于需防护瞬态电压波动的场合。 其电容值为105皮法, 适合用于需保持良好信号完整性的单线接口保护。 此元件能在不显著影响信号传输性能的前提下, 为敏感电子设备提供有效的过压保护。
HLESD5Z3.3T1G-HXY特性
暂无产品特性。
HLESD5Z3.3T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
