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HLESD5Z3.3T1G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

HLESD5Z3.3T1G-HXY

这款单向静电和浪涌保护器件具备11.2安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及3.3伏的VRWM(重复性雪崩电压)额定值, 适用于需防护瞬态电压波动的场合。 其电容值为105皮法, 适合用于需保持良好信号完整性的单线接口保护。 此元件能在不显著影响信号传输性能的前提下, 为敏感电子设备提供有效的过压保护。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

6,050

货期

现货

HLESD5Z3.3T1G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存6050

HLESD5Z3.3T1G-HXY概述

这款单向静电和浪涌保护器件具备11.2安培的IPP峰值脉冲电流承受能力及3.3伏的VRWM(重复性雪崩电压)额定值, 适用于需防护瞬态电压波动的场合。 其电容值为105皮法, 适合用于需保持良好信号完整性的单线接口保护。 此元件能在不显著影响信号传输性能的前提下, 为敏感电子设备提供有效的过压保护。

HLESD5Z3.3T1G-HXY特性

暂无产品特性。

HLESD5Z3.3T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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