HLC800R60RF
IC
TO-220F
可供量大可议
HLC800R60RF
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:6A; VGS:±22V; VTH:3.2V; RDS(ON):560mΩ; PD：21W
品牌
HL
封装
TO-220F
库存
110
货期
现货
HLC800R60RF参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
HLC800R60RF概述
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:6A; VGS:±22V; VTH:3.2V; RDS(ON):560mΩ; PD：21W
HLC800R60RF特性
暂无产品特性。
HLC800R60RF应用领域
暂无应用领域。