HLC800R60
IC
TO-252-3L
可供量大可议
HLC800R60
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:7.5A; VGS:±22V; VTH:3.2V; RDS(ON):560mΩ; PD：31W
品牌
HL
封装
TO-252-3L
库存
2,485
货期
现货
HLC800R60参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2485 |
HLC800R60概述
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:7.5A; VGS:±22V; VTH:3.2V; RDS(ON):560mΩ; PD：31W
HLC800R60特性
暂无产品特性。
HLC800R60应用领域
暂无应用领域。