HLC800R30RF
IC
TO-220F
可供量大可议
HLC800R30RF
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:8.7A; VGS:±22V; VTH:2.6V; RDS(ON):360mΩ; PD：28W
品牌
HL
封装
TO-220F
库存
255
货期
现货
HLC800R30RF参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 255 |
HLC800R30RF概述
SiC; 1个N沟道; VDSS:800V; ID:8.7A; VGS:±22V; VTH:2.6V; RDS(ON):360mΩ; PD：28W
HLC800R30RF特性
暂无产品特性。
HLC800R30RF应用领域
暂无应用领域。